长江存储发布128层闪存芯片,单颗容量高达1.33Tb
2019年9月2日,长江存储其64层3D NAND闪存在IC China 2019紫光集团展台亮相,正式开始量产。今年1月,长江存储市场与销售高级副总裁龚翔表示,长江存储64层闪存并且绝非低端产品,质量有保证,是可以保证盈利的。
而进入2020年,全球闪存厂商都在集体奔向100+层,例如SK海力士的128层已经稳定出货,并计划在年底推出196层内存;三星、镁光、西数、Intel也都已经突破了百层;国内长江存储则将跳过96层,直接投入128层闪存的技术研发和量产。
来源:中国闪存市场ChinaFlashMarket
今日,长江存储在官网重磅宣布,其128层QLC 3D NAND 闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
据了解,长江存储的128层QLC 3D NAND 闪存产品将最晚明年上半年开始量产,未来将在满产时配合10万片月产能,将在平衡全球供应上发挥关键作用。
按照长江存储的说法,这款产品的独特之处在于,它是业内首款128层QLC规格3D NAND,且拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
与此同时,长江存储还发布128层TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),单颗容量512Gb(64GB),以满足不同应用场景的需求。
性能方面,长存透露,两款产品拥有1.6Gbps的I/O读写性能,3D QLC单颗容量高达1.33Tb,是上一代64层的5.33倍。
据悉,两款产品均采用长存自主研发的Xtacking堆栈架构的2.0版本,外围电路和存储单元可堆叠,带来极佳的扩展性。据悉,闪存性能和功能等方面的升级,也是长江闪存跳过96层,直接上128层的保障。
随着5G、AI高新技术正在快速发展,长江存储方强调,为了满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求,128层QLC 版本将率先应用于消费级SSD,并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域。
近几年,国人开始重新审视我国在芯片、操作系统等方面布局,解决基础、核心技术带来的“卡脖子”问题。业内人士表示,中国在存储技术,包括闪存技术方面发展非常快,现在已经赶上全球,不落后了。
不得不说,作为后起之秀,长江存储自去年9月份成功量产64层3D NAND,并成为国内首家成功导入客户群的国产存储原厂,现时隔7个月,又发布业内领先128层3D TLC/QLC NAND Flash,已逐渐追上业界主流厂商的先进水平。
“作为闪存行业的新人,长江存储用3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。” 龚翊表示。最后还是期待相关终端产品尽快上市和应用吧。
(编辑:崔崔)
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