存储业务压力大,三星2020推3nm工艺,提高晶圆代工增加获利
2018年NAND Flash价格持续大跌,DRMA涨价也告一段落,价格也在持续下滑。市场预计NAND Flash和DRAM跌价将在2019上半年持续发酵。在价格下滑的冲击下,存储厂商营收将受到影响,再加上智能型手机需求下滑,三星正在提高晶圆代工的竞争力,3nm工艺已经完成了性能验证,将于2020年大规模量产。
美光曾在财报中预估2019年DRAM产业bit产出量增长20%,NAND产业bit产出量增长35%-40%。NAND Flash和DRAM供应增加是导致价格下滑的主因。花旗更是预估2019年DRAM价格至少会降价30%。
台积电大约占据全球晶圆代工市场60%的份额。在3nm节点上,台积电曾表示将投资200亿美元左右建3nm圆晶厂,预计到2022年才会量产3nm制程技术。
为了弥补存储器降价带来的冲击,三星2019年将加强晶圆代工业务。三星晶圆代工曾在32nm、14nm及10nm节点率先量产,虽然目前在7nm节点上落后了台积电,但三星已投资56亿美元新建晶圆厂,计划2019下半年开始量产7nm以下制程技术,并推进3nm工艺,将在2020年大规模量产,届时有望赶超台积电,提高市场竞争力。
另据知情人士透露,三星电子将更换其5G网络设备业务负责人,该部门目前正在快速扩大全球份额,三星的目标是两年内赢得全球20%的5G设备市场。
目前该业务负责人由Kim Young-ky担任。Kim Young-ky卸任后,将继续担任该公司顾问一职。三星将在下周公布年底人事变动时宣布该消息。
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