三星宣布陆续进军5nm、4nm、3nm工艺
在美国举行的三星工艺论坛SFF 2018 USA之上,三星宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺。
7LPP (7nm Low Power Plus)
7LPP将会是三星首次应用EUV极紫外光刻的工艺,并预计今年下半年投产。三星预计将于明年上半年完成关键IP的研发。
5LPE (5nm Low Power Early)
这个工艺是在7LPP工艺的基础上继续创新改进,据三星所说,这项工艺可以进一步缩小芯片核心面积,以带来超低功耗。
4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)
这个4nm的工艺是三星最后一次应用高度成熟,且经过行业验证的技术,并且结合5LPE工艺的成熟技术,再次缩小芯片面积,提高性能,更为关键的是,该工艺可以在保证良品率的前提下快速量产,方便客户升级。
3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)
最后一个就是三星的3nm工艺了,该工艺使用了Gate-All-Around,相比于现在的FinFET Tri-Gate三栅极设计,这可以重新设计晶体管底层结构,克服当前技术的物理、性能极限。该项技术被三星称为MBCFET(多桥通道场效应管),据三星所说,目前正在使用纳米层设备开发该技术中。
三星称自己的工艺并不仅用来生产低功耗设备,在高性能领域,比如大规模数据中心、AI人工智能、ML机器学习等,7LPP及之后工艺都足够优良,并有一整套平台解决方案。
新闻就是这个样子,下面说说推仔自己的看法,不知道大家是否还记得前段时间,台积电曾经首次透露的自己5nm的工艺,并表示,虽然工艺提升了但是频率只提升了15%。
其实硬件圈子的命名规则都是被台积电和三星搞坏的,Intel的工艺说多少就是多少,反观剩下两家,领先一代工艺不见得比Intel好,这本身就值得人们思考,希望这两家好好改进自己技术,别成天想这些有的没的,啥时候同样工艺能和Intel掰掰手腕才是正确的发展方向。
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